特許
J-GLOBAL ID：200903088773214255
半導体装置のフォトマスク及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-306101
公開番号（公開出願番号）：特開2000-131825
出願日： 1999年10月27日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：
【要約】【課題】 薄い膜厚の透過防止層を実現して、写真食刻工程に際して高い解像度を与えることができる半導体装置のフォトマスクを提供する。【解決手段】 透光性基板の上に、モリブデン固溶合金からなる透過防止層を備える半導体装置のフォトマスクである。さらに、モリブデン固溶合金は、モリブデンにクロム、バナジウム、ニオビウム、タンタルまたはタングステンなどがそれぞれン固溶されて形成された固溶合金であり得る。
請求項（抜粋）：
透光性基板と、前記基板上に形成された、モリブデンに金属原子が固溶されたモリブデン固溶合金からなる透過防止層とを有することを特徴とする半導体装置のフォトマスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/08 G
, H01L 21/30 502 P
