特許
J-GLOBAL ID：200903088773567468
半導体レーザーの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-353219
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202344
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、半導体レーザーの発光特性及び信頼性を向上させ、更にその作製を容易にする半導体レーザーの製造方法を提供する。【構成】 基板1上にクラッド層2、光ガイド層3、発光層4、光ガイド層5、クラッド層6、超格子層7、及びコンタクト層8を順次分子線成長法で形成し、コンタクト層8表面に幅10μm のストライプ形状の電極9を形成する。次に、コンタクト層8の表面をArガスでプラズマ処理(圧力=3×10-2Torr、電力=100 W、時間=3分)する。次に、コンタクト層8及びストライプP電極9の各表面に上乗せ電極11を形成し、基板1下面には電極12を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板表層部表面の通電領域を除いた部分をプラズマ処理することにより電流の流れを阻害する部分を形成する工程と、前記通電領域及びプラズマ処理を行った領域の表面の少なくとも一部に電極材を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体レ-ザ-の製造方法。
IPC (2件)：
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