積層体、積層体の形成方法、絶縁膜ならびに半導体用基板

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-291538
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100738
出願日： 2001年09月25日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、CVD(Chemical Vapor Deposition)法で形成される膜との密着性に優れた半導体用絶縁膜の形成方法を得る。【解決手段】 (A)平均慣性半径が10〜30nmであるアルコキシシラン化合物加水分解縮合物(a)を加熱硬化してなる膜および(B)平均慣性半径が10nm未満であるアルコキシシラン加水分解縮合物(b)を加熱硬化してなる膜が積層されてなり、前記アルコキシシラン加水分解縮合物(a)とアルコキシシラン加水分解縮合物(b)との平均慣性半径の差が5nm以上であることを特徴とする積層体。

請求項（抜粋）：

(A)平均慣性半径が10〜30nmであるアルコキシシラン化合物加水分解縮合物(a)を加熱硬化してなる膜および(B)平均慣性半径が10nm未満であるアルコキシシラン加水分解縮合物(b)を加熱硬化してなる膜が積層されてなり、前記アルコキシシラン加水分解縮合物(a)とアルコキシシラン加水分解縮合物(b)との平均慣性半径の差が5nm以上であることを特徴とする積層体。

IPC (10件)：

H01L 21/312 , B32B 7/02 104 , C08G 77/04 , C08G 77/50 , C09D183/02 , C09D183/04 , C09D183/06 , C09D183/14 , H01L 21/316 , H01L 21/768

FI (11件)：

H01L 21/312 C , B32B 7/02 104 , C08G 77/04 , C08G 77/50 , C09D183/02 , C09D183/04 , C09D183/06 , C09D183/14 , H01L 21/316 G , H01L 21/90 S , H01L 21/90 Q

Fターム (84件)：

4F100AB11C , 4F100AH06A , 4F100AH06B , 4F100AT00C , 4F100BA02 , 4F100BA03 , 4F100BA07 , 4F100EJ08A , 4F100EJ08B , 4F100EJ42A , 4F100EJ42B , 4F100GB41 , 4F100JG04 , 4F100JG05A , 4F100JG05B , 4F100JL11 , 4F100YY00A , 4F100YY00B , 4J035AA02 , 4J035AA03 , 4J035BA02 , 4J035BA03 , 4J035BA12 , 4J035BA13 , 4J035EA01 , 4J035EB02 , 4J035HA01 , 4J035HA02 , 4J035HB02 , 4J035LA00 , 4J035LA01 , 4J035LB20 , 4J038DL021 , 4J038DL031 , 4J038DL071 , 4J038DL161 , 4J038GA01 , 4J038GA07 , 4J038GA09 , 4J038GA12 , 4J038HA096 , 4J038HA336 , 4J038HA376 , 4J038HA416 , 4J038JA37 , 4J038JA38 , 4J038JA39 , 4J038JC13 , 4J038JC38 , 4J038KA03 , 4J038KA04 , 4J038KA06 , 4J038KA20 , 4J038NA12 , 4J038NA14 , 4J038NA21 , 4J038PA19 , 4J038PB09 , 4J038PC02 , 4J038PC08 , 5F033QQ25 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR09 , 5F033RR21 , 5F033RR25 , 5F033SS02 , 5F033SS03 , 5F033SS04 , 5F033SS11 , 5F033SS22 , 5F033TT04 , 5F033VV16 , 5F033XX12 , 5F058AA08 , 5F058AC03 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH02 , 5F058BA10 , 5F058BD07 , 5F058BF46 , 5F058BH01 , 5F058BJ02

前のページに戻る