半導体集積回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-277318
公開番号（公開出願番号）：特開平9-121021
出願日： 1995年10月25日
公開日（公表日）： 1997年05月06日
要約：

【要約】【課題】差動回路を有する半導体集積回路において、電源線に重畳された高レベルのスパイク状のノイズに対して差動回路の同相除去比CMRRを向上する。【解決手段】差動回路の素子対を構成する絶縁膜分離素子である容量C1〜C2が、下部の絶縁膜を介して、電源VDDに接続されたNウェル1から独立して形成された独立ウェル12を共有している。この独立Nウェル12は、フローティング状態であるため、電源VDDにCMOS等のスイッチング時に発生する高レベルのスパイク状のノイズが乗った場合でも、独立Nウェル12に高レベルのスパイク状のノイズが直接に伝達されず、独立Nウェル12のバイアス電位の揺れが小さく緩やかになる。そのため、独立Nウェル12内インピーダンス抵抗による独立Nウェル12内電位差が著しく小さくなる。

請求項（抜粋）：

電源に接続された半導体基板またはウェルとのPN接合面を持つ接合分離素子と前記PN接合面を持たない絶縁膜分離素子とからなり、差動回路を有する半導体集積回路において、前記差動回路の素子対を構成する前記絶縁膜分離素子が、下部の絶縁膜を介して、前記ウェルから独立して形成された独立ウェルを共有するか、または、前記独立ウェルをそれぞれ備え低抵抗配線により互いに接続していることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (7件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/762 , H01L 21/761 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H03F 3/45

FI (5件)：

H01L 27/04 H , H03F 3/45 Z , H01L 21/76 D , H01L 21/76 J , H01L 27/08 321 B

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