特許

J-GLOBAL ID：200903088790305370

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： 畠山 潤 ,  金生 剛 ,  中島 睦雄 ,  長谷川 幸士 ,  久保田 透 ,  殿村 洋一
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-300093
公開番号（公開出願番号）：特開2001-114835
出願日： 1999年10月21日
公開日（公表日）： 2001年04月24日
要約：

【要約】【解決手段】 下記一般式(1)で表される珪素含有置換基を含むことを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R1は炭素数1〜20のアルキレン基又はフェニレン基、R2は互いに同一又は異種の炭素数1〜20のアルキル基もしくはハロアルキル基又は炭素数6〜20のアリール基を示し、2≦q≦30である。)【効果】 本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、300nm以下の波長における感度、解像性、酸素プラズマエッチング耐性に優れている。従って、本発明の高分子化合物及びレジスト材料は、これらの特性により、特に優れた2層レジスト用の材料となり得るもので、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成でき、このため超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で表される珪素含有置換基を含むことを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R1は炭素数1〜20のアルキレン基又はフェニレン基、R2は互いに同一又は異種の炭素数1〜20のアルキル基もしくはハロアルキル基又は炭素数6〜20のアリール基を示し、2≦q≦30である。)

IPC (9件)：

C08F 30/08 ,  C08F 8/00 ,  C08F212/14 ,  C08F220/18 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/075 511 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027

FI (9件)：

C08F 30/08 ,  C08F 8/00 ,  C08F212/14 ,  C08F220/18 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/075 511 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (66件)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA10 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H025FA41 ,  2H096AA00 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H096GA08 ,  2H096HA24 ,  2H096JA04 ,  2H096KA06 ,  4J100AB07Q ,  4J100AE09P ,  4J100AJ02R ,  4J100AK32R ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL10R ,  4J100AM21R ,  4J100AM43R ,  4J100AM47P ,  4J100AR09P ,  4J100AR09Q ,  4J100AR11R ,  4J100BA02Q ,  4J100BA02R ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA04Q ,  4J100BA11R ,  4J100BA12R ,  4J100BA15P ,  4J100BA15Q ,  4J100BA40R ,  4J100BA75P ,  4J100BC04Q ,  4J100BC04R ,  4J100BC53R ,  4J100BC58R ,  4J100BC60Q ,  4J100BC60R ,  4J100BC65R ,  4J100BC79R ,  4J100CA05 ,  4J100HA53 ,  4J100HE22 ,  4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-073250
  
• 特開昭63-000303