特許

J-GLOBAL ID：200903088791401593

プラズマ処理装置

発明者： 野沢 俊久 ,  木下 隆 ,  西塚 哲也
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所
代理人 (1件)： 本庄 武男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-041089
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260449
出願日： 1993年03月02日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：

【要約】【目的】 静電チャックを備えた載置台を所要の冷却温度に調節した場合に,静電チャックに損傷を与えない載置台構造を備えたプラズマ処理装置を提供する。【構成】 静電吸着によって被処理物12を保持する静電チャック8が電極ブロック13上に接合され,冷却構造を備えて構成された載置台9を真空容器内に配置し,該真空容器内に発生させたプラズマにより被処理物12をプラズマ処理するプラズマ処理装置で,電極ブロック13が静電チャック8を構成する材料の熱膨張率との差が小さい熱膨張率の材料で構成されてなる。静電チャック8を電極ブロック13に接合して熱伝導を促進させると同時に,低温冷却時に該接合面に生じる熱膨張率の差による応力の発生を抑制する。低温冷却時にも応力発生による接合面の破壊等が生じないので,所要の冷却温度への制御が達成され,精度よくエッチング等のプラズマ処理がなされる。

請求項（抜粋）：

静電吸着によって被処理物を保持する静電チャックが電極ブロック上に接合され,該電極ブロックに前記被処理物を冷却するための冷却構造を備えて構成された載置台を真空容器内に配置し,該真空容器内に発生させたプラズマにより前記載置台上に載置された被処理物をプラズマ処理するプラズマ処理装置において,前記電極ブロックが前記静電チャックを構成する材料の熱膨張率との差が小さい熱膨張率の材料で構成されてなることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/68 ,  H05H 1/46

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 真空処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-153173   出願人：キヤノン株式会社
• 特開昭63-283037