特許

J-GLOBAL ID：200903088792935850

半導体装置の製造方法

発明者： 水津 康正
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-312121
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153489
出願日： 1995年11月30日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：

【要約】【課題】信頼性の高い酸化膜を提供すること。【解決手段】シリコン基板を処理室内に導入して、シリコン基板を外気と遮断する第1の工程(期間I)と、シリコン基板の温度を400°C以下に保った状態で、処理室内にAHFガスを導入して、シリコン基板の表面の自然酸化膜を除去する第2の工程(期間II)と、シリコン基板の温度を結露が起こらない温度以上400°C以下に保った状態で、処理室内に水蒸気と酸素ガスを導入して、処理室内を酸化性雰囲気にする第3の工程(期間III )と、シリコン基板の温度を第2および第3の工程時のそれらよりも高くして、シリコン基板の表面に酸化膜を形成する第4の工程とを有する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面の自然酸化膜を除去する第1の工程と、前記自然酸化膜を除去した半導体基板の表面に、低密度かつ応力1×108 N/m2 未満の厚さ1nm以上の酸化物層を形成する第2の工程と、酸化性雰囲気中での熱処理により前記酸化物層を高密度化して、前記自然酸化膜を除去した表面に、前記第2の工程の酸化物層よりも高密度の酸化膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/316 S ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/31 E