特許

J-GLOBAL ID：200903088806005754

半導体不揮発性メモリ装置およびその消去方法

発明者： 吉岡 史善 ,  岩田 浩
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (3件)： 山崎 宏 ,  前田 厚司 ,  仲倉 幸典
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-006232
公開番号（公開出願番号）：特開2006-196650
出願日： 2005年01月13日
公開日（公表日）： 2006年07月27日
要約：

【課題】 書き込みと消去とを繰り返した場合でも、ホットホール注入によるダメージを回復できて、書き込み状態、および消去状態の特性劣化を防止することができる半導体不揮発性メモリ装置を提供する。 【解決手段】 この半導体不揮発性メモリ装置によれば、アニール部をなす抵抗体13が半導体不揮発性メモリM1に対してアニール処理を行うことによって、データの書き換えと消去の繰り返しによって生じた第1絶縁膜7中のトラップ準位の増大と絶縁膜界面での界面準位の増加を解消できる。したがって、アニール部をなす抵抗体13を備えたことで、書き込みと消去とを繰り返した場合でも、ホットホール注入によるダメージを回復でき、書き込み状態、および消去状態の特性劣化を防止できる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

電荷保持部とこの電荷保持部に隣接する絶縁部とを有すると共に上記電荷保持部に電荷を保持させることによって情報を記憶する半導体不揮発性メモリと、 上記半導体不揮発性メモリに対してアニール処理を行うアニール部とを備えることを特徴とする半導体不揮発性メモリ装置。

IPC (5件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 35/28 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/788

FI (3件)：

H01L27/10 434 ,  H01L35/28 Z ,  H01L29/78 371

Fターム (34件)：

5F083EP18 ,  5F083EP23 ,  5F083EP25 ,  5F083EP26 ,  5F083ER02 ,  5F083ER11 ,  5F083ER30 ,  5F083GA21 ,  5F083JA04 ,  5F083JA19 ,  5F083LA03 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA07 ,  5F083LA10 ,  5F083NA01 ,  5F083PR12 ,  5F083PR33 ,  5F083PR36 ,  5F083ZA21 ,  5F101BA45 ,  5F101BB04 ,  5F101BB05 ,  5F101BC11 ,  5F101BD02 ,  5F101BD35 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BF03 ,  5F101BF05 ,  5F101BH03 ,  5F101BH09 ,  5F101BH16