特許

J-GLOBAL ID：200903088806476862

薄膜太陽電池およびその製造方法

発明者： 大田 洋充 ,  藤掛 伸二
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-157092
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005892
出願日： 1992年06月17日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：

【要約】【目的】p-i-n接合構造の光入射側のp層あるいはn層に光学ギャップの大きい材料を用いて光吸収ロスを少なくすると同時に電気伝導度を10-8S/cm以上としてフィルファクタの低下を抑える。【構成】SiH4 、N2 O をH2 で希釈した混合ガスを用い、ドーピングガスを添加してp層またはn層を形成し、その際光学ギャップを2.0〜2.3 eV、σph/σd を5以下にすることにより、光学ギャップ2.0eV以上で電気伝導度の大きいa-Si:O:N膜を得る。このようなa-Si:O:N膜を用いた薄膜太陽電池でフィルファクタ0.7 以上、変換効率12%以上が得られる。

請求項（抜粋）：

非晶質シリコンを主材料としたp-i-n接合構造を有するものにおいて、i層の光入射側にあるp層あるいはn層が、一般式a-Si<SB>(1-x-Y)</SB>O<SB>x </SB>N<SB>Y </SB>で表わされ、0.05<X<0.40、0.03<Y<0.07である非晶質シリコンオキサイトライド膜からなり、かつその光学ギャップが2.0 eVないし2.3 eV、25°Cにおける光導電率と暗導電率の比が5以下であることを特徴とする薄膜太陽電池。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭60-262470
  
• 特開昭59-108370
  
• 特開昭63-224223