特許

J-GLOBAL ID：200903088806505595

磁気抵抗効果ヘッド

発明者： 濱川 佳弘 ,  鈴木 良夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-167259
公開番号（公開出願番号）：特開平9-016918
出願日： 1995年07月03日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【目的】縦バイアスパターンからのバイアス磁界が、固定磁性層にならびに固定磁性層の磁化を固定する反強磁性膜に侵入しなくして、横バイアスのずれ、出力の低下、経時変化を防ぐ。【構成】複数層の磁性層及びそれらを分離する非磁性層からなり、磁性層の一方に接する反強磁性層によって磁性層に一方向性異方性を付与した磁気抵抗効果膜からなる感磁部および磁気抵抗効果膜に電流を供給する複数の電極を有し、電極の下もしくは上に縦バイアスを発生させるパターンを設けた磁気抵抗効果ヘッドにおいて、縦バイアスを発生するパターンと感磁部との相対する端面において、縦バイアスを発生するパターンの端面の基板に垂直な面への射影面と反強磁性層および反強磁性層による磁化が固定された磁性層の端面の基板に垂直な面への射影面が重なり合わないことを特徴とした磁気抵抗効果型ヘッド。

請求項（抜粋）：

複数層の磁性層及びそれらを分離する非磁性層からなり、上記磁性層の一方に接する反強磁性層によって上記磁性層に一方向性異方性を付与した磁気抵抗効果膜からなる感磁部および上記磁気抵抗効果膜に電流を供給する複数の電極を有し、上記電極の下もしくは上に縦バイアスを発生させるパターンを設けた磁気抵抗効果ヘッドにおいて、上記縦バイアスから発生する磁界が、上記反強磁性層あるいは上記反強磁性層により磁化が固定された磁性層に、実質的に磁界が入らない事を特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。