特許

J-GLOBAL ID：200903088807388258

半導体装置の製造用基板載置治具と縦型炉の組合わせ、基板載置治具、及び半導体装置の製造方法

発明者： 高木 幹夫
出願人/特許権者： 株式会社エフティーエル
代理人 (1件)： 村井 卓雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-058126
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261028
出願日： 2001年03月02日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：

【要約】【課題】 縦型ホットウール式における熱的安定性を高め、また易分解性ガスを安定して炉内に送るようにする。【解決手段】 (a)炉の上部に熱遮蔽板14a;(b)炉の上部に真空断熱部(15);(c)炉の上部に真空断熱部(15)、基板移載治具16の下部に真空断熱部(17);(d)炉の上部に熱遮蔽板14a;基板移載治具16の下部に真空断熱部(17);あるいは(e)炉内に位置するガス導入管に真空断熱部(36a)を設ける。

請求項（抜粋）：

ダミーウェーハを含むもしくは含まない半導体基板を治具から取り外し可能に横置きし、かつ上下方向に相互に一定間隔で配列し、かつ該半導体基板を縦型加熱炉内の均熱かつ圧力一定領域内にてガスと接触させる基板載置治具と、縦型加熱炉との組合わせにおいて、炉内上方空間の均熱領域内にて半導体基板配列領域と対置されかつガス不透過性隔壁により炉内空間とは隔絶されるが外気とは連通した熱遮蔽部を設けるとともに、その下部横方向寸法を前記半導体基板の寸法以上とし、かつ縦方向寸法を前記一定間隔の4倍以上としたことを特徴とする半導体装置製造用基板載置治具と縦型加熱炉の組合わせ。

IPC (7件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/22 501 ,  H01L 21/22 511 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/324

FI (8件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/22 501 F ,  H01L 21/22 511 G ,  H01L 21/22 511 Q ,  H01L 21/22 511 J ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/324 G

Fターム (25件)：

4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030GA02 ,  4K030JA01 ,  4K030JA03 ,  4K030KA04 ,  4K030KA05 ,  4K030KA12 ,  4K030KA23 ,  5F045AA06 ,  5F045AA20 ,  5F045AB03 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB35 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045DP19 ,  5F045EC01 ,  5F045EC02 ,  5F045EC07 ,  5F045EK06