特許
J-GLOBAL ID：200903088809035433
厚膜パターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
土井 育郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-268069
公開番号（公開出願番号）：特開平10-112259
出願日： 1996年10月09日
公開日（公表日）： 1998年04月28日
要約：
【要約】【課題】 サンドブラスト法により厚膜パターンを形成するに際し、加工に要する時間を短縮でき、形成する厚膜パターンに欠けを生じないようにする。【解決手段】 基板1上に少なくとも無機バインダーを含有する第1のパターン形成層4aを形成し、その無機バインダーの屈伏点より20°C低い温度から屈伏点より20°C高い温度の範囲をピークとして第1のパターン形成層4aを焼成した後、第1のパターン形成層4aの上に少なくとも有機バインダーを含有する第2のパターン形成層4bを形成し、その上に所定パターンのサンドブラスト用マスク5を形成してから、サンドブラスト法によりパターン形成層4a,4bにおけるサンドブラスト用マスク5が形成されていない部分を研削する。第1のパターン形成層4aを焼成することにより、その中の有機バインダーが焼失するのでサンドブラスト加工の速度が速くなる。
請求項（抜粋）：
基板上に少なくとも無機バインダーを含有する第1のパターン形成層を形成する第1工程と、前記第1のパターン形成層に含有される無機バインダーの屈伏点より20°C低い温度から屈伏点より20°C高い温度の範囲をピークとして前記第1のパターン形成層を焼成する第2工程と、前記第1のパターン形成層の上に少なくとも有機バインダーを含有する第2のパターン形成層を形成する第3工程と、前記第2のパターン形成層の上に所定パターンのサンドブラスト用マスクを形成する第4工程と、サンドブラスト法により前記第1のパターン形成層及び第2のパターン形成層における前記サンドブラスト用マスクが形成されていない部分を研削する第5工程とを少なくとも含むことを特徴とする厚膜パターン形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 9/14 D
, H01J 9/02 F
