特許
J-GLOBAL ID：200903088810577380
半導体集積回路パターン,およびその形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-194094
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036686
出願日： 1991年08月02日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】【目的】 所定幅による狭間隔パターンと、比較的広い幅の空白部を介在させた孤立パターンとが混在する集積回路パターンの構成において、回路パターン全体での各パターン間隔,パターン密度の差を解消する。【構成】 狭間隔パターンと孤立パターンとの間の比較的広い幅の空白部に対して、所要の回路パターン全体とは無関係に独立した偽パターンを形成させ、当該所要の回路パターン全体における各パターン間隔,パターン密度をほゞ同程度になるように構成する。
請求項（抜粋）：
半導体装置の集積回路パターン構成において、所要の回路パターンに合わせて、当該所要の回路パターン全体での各パターン間隔,パターン密度がほゞ同程度になるように、回路とは無関係に独立する偽パターンを形成させたことを特徴とする半導体集積回路パターン。
FI (2件)：
H01L 21/88 D
, H01L 21/88 K
