特許
J-GLOBAL ID：200903088814017133
準粒子注入形トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石川 泰男
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-516649
公開番号（公開出願番号）：特表平8-505737
出願日： 1994年01月20日
公開日（公表日）： 1996年06月18日
要約：
【要約】本発明は、インジェクタ及び少なくとも一つのアクセプタから成る層で構成される準粒子注入形トランジスタに関する。インジェクタ及び各アクセプタは、高温超伝導体から成っている。これらの高温超伝導体のそれぞれは、真性トンネル接合の結晶堆積に相当する。CuO2平面又は二重平面が、トンネル障壁として使用される絶縁中間層によって分離された場合、各チャネル接合は、高温超伝導体結晶の真性特性を呈する。このように構成された3端子回路素子の利得は大きく、この真性タイプの準粒子注入形トランジスタによって、同一タイプの多数の後続の回路素子が駆動される。大規模集積論理回路は、この論理に基づき、高温超伝導体から設計される。
請求項（抜粋）：
インジェクタ及び少なくとも一つのアクセプタを有し、当該インジェクタ及びアクセプタが共通の超伝導性電極を有し、準粒子密度がインジェクタ電流で制御される準粒子注入形トランジスタにおいて、 各インジェクタ及び各アクセプタを、高温超伝導体内の真性トンネル接合の堆積とすることを特徴とする準粒子注入形トランジスタ。
引用特許：
前のページに戻る
