特許

J-GLOBAL ID：200903088820421558

薄膜キャパシタ

発明者： 阿部 和秀 ,  小松 周一 ,  奥和田 久美 ,  福島 伸 ,  川久保 隆 ,  堤 純誠 ,  佐野 賢也
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-228158
公開番号（公開出願番号）：特開平9-074169
出願日： 1995年09月05日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：

【要約】【課題】 残留分極の値が十分大きく、かつヒステリシスの中心位置がゼロボルト付近にあり、さらにリーク電流の低減に寄与する。【解決手段】 MgO(100)単結晶基板1の上に形成された下部電極2と、下部電極2上にエピタキシャル成長されたペロブスカイト型結晶構造を有するキュリー温度が200°C以下の誘電体材料からなる誘電体膜3と、この誘電体膜3の上に形成された上部電極4とを備えた薄膜キャパシタにおいて、下部電極2としてAu-Ptを用い、誘電体膜3としてBaTiO3 を用い、基板表面の格子定数をas 、ペロブスカイト型結晶構造のa軸長で表される誘電体材料本来の格子定数をad とするとき、1.002≦ad /as ≦1.015かつas ≧0.3935nmの関係を満たしている。

請求項（抜粋）：

表面に立方晶系の(100)面又は正方晶系の(001)面が現れている導電性の基板と、この基板の上にエピタキシャル成長されたペロブスカイト型結晶構造を有するキュリー温度が200°C以下の誘電体材料からなる誘電体膜と、この誘電体膜の上に形成された上部電極とを備えた薄膜キャパシタにおいて、前記基板表面の格子定数をas とし、立方晶系又は正方晶系に属するペロブスカイト型結晶構造のa軸長で表される前記誘電体材料本来の格子定数をad とするとき、1.002≦ad /as ≦1.015なる関係を満たすと同時に、as ≧0.3935nmであることを特徴とする薄膜キャパシタ。

IPC (5件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01G 4/33 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 27/10 651 ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特許第2878986号