特許

J-GLOBAL ID：200903088821595819

半導体装置とその製造方法

発明者： 高東 宏 ,  尾崎 徹 ,  竹大 精一 ,  森門 六月生 ,  仁田山 晃寛
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-191122
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037273
出願日： 1992年07月17日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：

【要約】【目的】本発明は、半導体装置の配線構造においてコンタクト孔を自己整合的に形成することにより微細かつ高集積化することを目的とする。【構成】半導体装置のSi基板層および電極配線層において、その同一配線層間に任意の物質膜あるいはその多層膜を埋め込むが、その同一配線層間の距離が一定値以上の広い領域では、その少なくとも中心側に埋め込まれた膜が除去されていることを特徴とする。さらにその製造方法であって、同一配線層間の距離が一定値以上の広い領域を形成後、埋め込み用物質をこの広い領域では中心部分に空隙が残るように、その他の配線層間では完全に埋めつくすようにして堆積させ、ついでこの堆積部分を等方エッチングし、上記の広い領域の少なくとも中心部分の膜を選択的に除去し、ここにコンタクト孔を形成させることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体装置のSi基板層および電極配線層において、その同一配線層間に、任意の物質膜あるいはその多層膜が埋め込まれており、その少なくとも中心側に埋め込まれた膜は、その同一配線層間の距離が一定値以上の広い領域では除去されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/90

FI (2件)：

H01L 27/10 325 C ,  H01L 27/10 325 P