特許
J-GLOBAL ID：200903088821862493
薄膜磁気ヘツド
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
阿部 美次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-226526
公開番号（公開出願番号）：特開平5-046943
出願日： 1991年08月12日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：
【要約】【目的】 磁気抵抗効果素子が薄膜磁気変換素子の製造プロセスによる悪影響を受けることのない薄膜磁気ヘッドを提供する。【構成】 薄膜磁気ヘッドは基体1の上に、書き込み素子となる誘導型の薄膜磁気変換素子2及び読み出し素子となる磁気抵抗効果素子3を積層して設けている。磁気抵抗効果素子3は薄膜磁気変換素子2の上に設けられている
請求項（抜粋）：
基体の上に、書き込み素子となる誘導型の薄膜磁気変換素子及び読み出し素子となる磁気抵抗効果素子を積層して設けた薄膜磁気ヘッドであって、前記磁気抵抗効果素子は、前記薄膜磁気変換素子の上に設けられていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
IPC (2件)：
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