化合物半導体ウエハの研磨方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松井政広 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-202247
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029288
出願日： 1991年07月18日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：

【要約】【目的】改良された化合物半導体ウェハの化学機械的研磨方法の提供。【構成】化学機械的研磨終了の直前にコロイダルシリカ水性懸濁液によって化学機械的研磨を行なう。【効果】コロイダルシリカ水性懸濁液の僅かな機械的研磨作用が表われて平滑な表面が得られる。

請求項（抜粋）：

化合物半導体ウェハを化学機械的研磨する方法において、化学機械的研磨終了の直前にコロイダルシリカ水性懸濁液のみによって研磨を行なうことを特徴とする方法。【0001】

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