特許
J-GLOBAL ID：200903088833486756
エピタキシャル成長装置のクリーニング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
坂本 栄一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-285818
公開番号（公開出願番号）：特開平6-128082
出願日： 1992年10月23日
公開日（公表日）： 1994年05月10日
要約：
【要約】【目的】シリコンエピタキシャル成長装置の反応器部、配管部等に付着堆積したシリコンおよびシリコン化合物をクリーニング処理する。【構成】シリコンエピタキシャル成長装置より製品を取り出した後元の状態に戻し、反応器部と配管部の堆積物を、ClF3 ガスまたはF2 ガスとHFガスとを交互に接触させて除去する。
請求項（抜粋）：
シリコンエピタキシャル成長装置の反応器部、配管部に堆積したシリコンまたはシリコン化合物をClF3 ガスもしくはF2 ガスとHFガスとを交互に接触させて反応除去することを特徴とするエピタキシャル成長装置のクリーニング方法。
IPC (3件)：
C30B 25/00
, C23C 16/44
, C30B 23/00
