特許

J-GLOBAL ID：200903088833548689

検査装置及び検査方法

発明者： 菅沼 洋
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-327261
公開番号（公開出願番号）：特開2001-141428
出願日： 1999年11月17日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェハに形成された回路パターン等のような微細構造のパターンを迅速且つ適切に検査する。【解決手段】 紫外線固体レーザ2からの紫外レーザ光で、被検査物である半導体ウェハ100のL/Sパターン101を照明し、その反射光をフーリエ変換レンズ17によりフーリエ変換する。そして、L/Sパターン101のフーリエ変換像をCCD撮像素子18により撮像し、撮像されたL/Sパターン101のフーリエ変換像をもとにして、L/Sパターン101の状態を検査する。

請求項（抜粋）：

所定の周期の凹凸パターンを有する被検査物に対して照明光を照射して上記被検査物を照明する照明手段と、上記照明手段により照明された被検査物からの反射光又は透過光をフーリエ変換するフーリエ変換手段と、上記フーリエ変換手段によりフーリエ変換された被検査物の反射光又は透過光を検出して上記被検査物のフーリエ変換像を撮像する撮像手段とを備え、上記撮像手段により撮像された上記被検査物のフーリエ変換像をもとに上記被検査物の状態を検査することを特徴とする検査装置。

IPC (2件)：

G01B 11/24 ,  H01L 21/66

FI (2件)：

H01L 21/66 J ,  G01B 11/24 D

Fターム (47件)：

2F065AA49 ,  2F065BB02 ,  2F065BB18 ,  2F065CC19 ,  2F065CC25 ,  2F065DD04 ,  2F065DD06 ,  2F065EE00 ,  2F065FF42 ,  2F065FF48 ,  2F065FF49 ,  2F065GG04 ,  2F065GG22 ,  2F065HH12 ,  2F065HH13 ,  2F065HH15 ,  2F065HH18 ,  2F065JJ03 ,  2F065JJ05 ,  2F065JJ09 ,  2F065JJ26 ,  2F065LL04 ,  2F065LL10 ,  2F065LL30 ,  2F065LL37 ,  2F065LL42 ,  2F065LL46 ,  2F065LL49 ,  2F065NN06 ,  2F065NN20 ,  2F065PP12 ,  2F065QQ23 ,  2F065QQ25 ,  2F065QQ28 ,  2F065RR09 ,  2F065TT02 ,  4M106AA01 ,  4M106BA05 ,  4M106DB02 ,  4M106DB04 ,  4M106DB08 ,  4M106DB12 ,  4M106DB13 ,  4M106DB14 ,  4M106DB30 ,  4M106DJ04 ,  4M106DJ05