特許

J-GLOBAL ID：200903088834611040

半導体記憶装置

発明者： 鈴木 利一 ,  山内 寛行
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-302000
公開番号（公開出願番号）：特開平6-150686
出願日： 1992年11月12日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、冗長メモリセルを有する半導体記憶装置に関し、特に、通常メモリセル及び、冗長メモリセルの多重選択を回避し、且つメモリセルアクセスを高速に行なう半導体記憶装置を提供することを目的とする。【構成】 プログラマブル回路130〜133の出力FUSE0〜FUSE3全てをANDゲート140に接続し、FUSE0、FUSE1、クロック信号CLK1をダイナミックORゲート141に、FUSE2、FUSE3、クロック信号CLK1をダイナミックORゲート142にそれぞれ接続する。ANDゲート140の出力である通常回路活性化信号NENで通常ワードラインドライバ153を、ダイナミックORゲート141の出力である冗長回路活性化信号SPE0で冗長ワードラインドライバ154を、ダイナミックORゲート142の出力である冗長回路活性化信号SPE1で冗長ワードラインドライバ155をそれぞれ制御する。

請求項（抜粋）：

通常メモリセルアクセスを活性化する信号を発生する通常メモリセルアクセス活性化信号発生回路と、前記通常メモリセルアクセス活性化信号発生回路に接続され、通常メモリセルをアクセスする信号を出力するドライバと、冗長メモリセルアクセスを活性化する信号を発生する複数の冗長メモリセルアクセス活性化信号発生回路と、前記複数の冗長メモリセルアクセス活性化信号発生回路にそれぞれ接続され、冗長メモリセルをアクセスする信号を出力する複数のドライバとを備えた半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭60-191500
  
• 特開昭62-134899