特許

J-GLOBAL ID：200903088838365957

化合物半導体基板の微細加工方法

発明者： 角屋 豊 ,  三矢 伸司 ,  吉田 孝志 ,  野毛 宏 ,  榊 裕之
出願人/特許権者： 新技術事業団 ,  角屋 豊 ,  三矢 伸司 ,  吉田 孝志
代理人 (1件)： 阿部 龍吉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-211533
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061200
出願日： 1992年08月07日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】【目的】 超高真空中で基板表面の汚染を低減した状態において、少ない電子線照射時間による微細加工を可能とする化合物半導体基板の微細加工方法を提供する。【構成】 化合物半導体基板1、2の上に予めインジウムを含む化合物半導体薄膜3を堆積する第1の工程(a)と、塩素5を含む気体雰囲気中で該化合物半導体基板に電子線4を照射することにより電子線の被照射領域のインジウムを含む化合物半導体3を選択的に除去する第2の工程(b)と、第1の工程で堆積され第2の工程により選択的に除去されずに残ったインジウムを含む化合物半導体をマスクとして他の部分の該化合物半導体基板をエッチングする第3の工程(c)とを備える。これにより、微細構造形成に必要な電子線照射時間を大幅に短縮することが可能であり、基板表面の汚染をさらに低減することができる。また電子線の被照射領域がエッチングされるポジ型のリソグラフィーを実現することができる。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板上に予めインジウムを含む化合物半導体薄膜を堆積する第1の工程と、塩素を含む気体雰囲気中で該化合物半導体基板に電子線を照射することにより電子線の被照射領域のインジウムを含む化合物半導体を選択的に除去する第2の工程と、第1の工程で堆積され第2の工程により選択的に除去されずに残ったインジウムを含む化合物半導体をマスクとして他の部分の該化合物半導体基板をエッチングする第3の工程とを備えることを特徴とする化合物半導体基板の微細加工方法。