特許
J-GLOBAL ID：200903088845740445
半導体装置の製造方法及び半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-105073
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299568
出願日： 1992年04月24日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：
【要約】【目的】 リードフレームを用いて樹脂封止する半導体装置に関し、製造時の半導体チップ搭載工程とワイヤボンディング工程のインライン化が容易となるように、半導体チップ搭載工程の手番短縮を図ることを目的とする。【構成】 ダイステージ3とその周囲に配列した複数のリード2とを有し、ダイステージ3は開孔4を有する中央部5と半導体チップの対向側面を挟持する対のクランパ6と中央部5からクランパ6に渡設の引張バネ7とを具えたリードフレーム1を用い、半導体チップのダイステージ3への搭載として半導体チップCを中央部5上に載せクランパ6により挟持させる工程と、半導体チップCを中央部5の下側から開孔4を通して真空吸引(V)しながらワイヤボンディング(ワイヤ8)する工程と、同様な真空吸引Vをしながら、真空吸引Vの通路部分を残して樹脂封止(封止樹脂9の形成)を行う工程とを有するように構成する。
請求項（抜粋）：
半導体チップを搭載するダイステージとその周囲に先端部を配列した複数のリードとを有し、該ダイステージは開孔を有する中央部と搭載する半導体チップの対向側面を挟持する対のクランパと該中央部から該クランパに渡設の引張バネとを具えてなるリードフレームを用い、半導体チップの該ダイステージへの搭載として該半導体チップを該中央部上に載せ該クランパにより挟持させる工程と、該ダイステージに搭載した半導体チップを該中央部の下側から該開孔を通して真空吸引しながら、該半導体チップと該リード先端部との間をワイヤボンディングする工程と、しかる後、該半導体チップを該中央部の下側から該開孔を通して真空吸引しながら、該ダイステージと該半導体チップとワイヤボンディングのワイヤと該リード先端部とを、該真空吸引の通路部分を残して樹脂封止する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 23/50
, H01L 21/50
, H01L 21/52
, H01L 21/56
, H01L 21/60 301
