特許

J-GLOBAL ID：200903088847085274

プラズマ処理装置

発明者： 野沢 俊久 ,  大田尾 修一郎
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-233794
公開番号（公開出願番号）：特開2003-045865
出願日： 2001年08月01日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：

【要約】【課題】 基板を処理するのに最適な圧力条件でプラズマの着火を行なうことができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 プラズマ処理装置100aは、基板11に所定の処理を施すためのプラズマ処理装置であって、プラズマ生成領域13を発生させ、基板11を導入するチャンバ1と、チャンバ1内に設けられ、電子を発生させることが可能な電子発生部材201とを備える。電子発生部材201は、酸化バリウム、酸化ストロンチウム、酸化カルシウム、酸化イットリウムなどを含む。

請求項（抜粋）：

基板に所定の処理を施すためのプラズマ処理装置であって、プラズマを発生させ、基板を導入する反応室と、前記反応室内に設けられ、電子を発生させることが可能な電子発生部材とを備えた、プラズマ処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/31 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/511 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

H01L 21/31 C ,  B01J 19/08 H ,  C23C 16/511 ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/302 B

Fターム (23件)：

4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075BB02 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075BD14 ,  4G075CA05 ,  4G075CA25 ,  4G075CA47 ,  4G075CA51 ,  4K030CA04 ,  4K030FA01 ,  4K030KA30 ,  4K030LA15 ,  5F004BA00 ,  5F004BB02 ,  5F004BB14 ,  5F004BC08 ,  5F045BB08 ,  5F045DP02 ,  5F045EB02 ,  5F045EH01 ,  5F045EH03