特許
J-GLOBAL ID：200903088847687932

半導体装置

発明者：
鈴木 健之

鈴木 健之 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-050771
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251585
出願日： 1998年03月03日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：
【要約】【課題】 トレンチに接したソース/ドレイン領域に含まれる導電性不純物がゲート絶縁膜に取り込まれることを抑制し、ゲート絶縁膜の耐圧を向上させること、およびゲート絶縁膜の耐圧劣化を助長する構造を解消すること。【解決手段】 P型のシリコン基板1内に形成されたN型領域2と、N型領域2に形成されたトレンチ4と、トレンチ4内に形成されたN型領域2の表面よりも低い位置に上面を有するゲート電極6と、ゲート電極6とトレンチ4の側壁との間に形成されたゲート酸化膜5と、ゲート電極6の上面上に形成されたボロン(B)を含む層間絶縁膜8と、N型領域2内に層間絶縁膜8に接して形成された高濃度P+ 型領域10と、N型領域2および高濃度P+ 型領域それぞれに電気的に接触されるソース電極11とを具備する。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基体内に形成された第2導電型の第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域内に形成された、前記半導体基体に達するトレンチと、前記トレンチ内に形成された、前記第1の半導体領域の表面よりも低い位置に上面を有するゲート電極と、前記ゲート電極と前記トレンチの側壁との間に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート電極の上面上に形成され、少なくとも前記トレンチの側壁を介して前記第1の半導体領域に接する、第1導電型の導電性不純物を含む絶縁膜と、前記第1の半導体領域内に前記トレンチに対して自己整合的に形成された、前記絶縁膜に接する第1導電型の第2の半導体領域と、前記絶縁膜を介して前記ゲート電極と絶縁され、前記第1の半導体領域および前記第2の半導体領域それぞれに電気的に接触される導電膜とを具備することを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 653 C ,  H01L 29/78 652 K
引用特許：
審査官引用 (3件)

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