特許
J-GLOBAL ID：200903088848451100
パターンの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-347565
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204130
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【目的】 簡略なプロセスで寸法精度の高いレジストパターンを得る。【構成】 シリコン酸化膜11が形成される。シリコン酸化膜11上にシリコン系有機材料よりなる反射防止膜13が形成される。反射防止膜13上に所定のパターンに従ってレジストパターン15が形成される。レジストパターン15をマスクとして反射防止膜13の露出部13bに酸素プラズマ処理が施される。レジストパターン15をマスクとして反射防止膜13の露出部13aとシリコン酸化膜11とが同時に除去される。レジストパターン15と反射防止膜13の残存部13aとが同時に除去される。
請求項（抜粋）：
上層にシリコン酸化物を含む層をフォトリソグラフィを用いてパターニングするパターンの形成方法であって、シリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン酸化膜上にシリコン系有機材料よりなる反射防止膜を形成する工程と、前記反射防止膜上に所定のパターンに従ってフォトレジスト膜を形成する工程と、前記フォトレジスト膜をマスクとして前記反射防止膜に酸素プラズマ処理を施す工程と、前記フォトレジスト膜をマスクとして前記フォトレジスト膜から露出する前記反射防止膜と前記シリコン酸化膜とを除去する工程と、前記マスクとして用いられた前記フォトレジスト膜と残存した前記反射防止膜とを除去する工程とを備えた、パターンの形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, H01L 21/302
H01L 21/30 361 P
, H01L 21/30 361 T
