特許
J-GLOBAL ID：200903088851598510
発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
三好 秀和
, 寺山 啓進
, 三好 広之
, 伊藤 市太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-151737
公開番号（公開出願番号）：特開2008-305971
出願日： 2007年06月07日
公開日（公表日）： 2008年12月18日
要約：
【課題】活性層で発生した偏光光の出力効率の低下を抑制する発光素子を提供する。【解決手段】非極性面又は半極性面を主面とするIII族窒化物半導体からなり、第1導電型の第1半導体層110、活性層120及び第2導電型の第2半導体層130がこの順に積層され、活性層120から偏光光を発生する発光部100と、偏光光の偏光方向に対して垂直方向に延伸するストライプ状の溝が偏光方向に複数配列され、のこぎり波形状の出力面11をなす出力部10とを備え、発光部100から出力部10を透過して、出力面11から偏光光が出力される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
非極性面又は半極性面を主面とするIII族窒化物半導体からなり、第1導電型の第1半導体層、活性層及び第2導電型の第2半導体層がこの順に積層され、前記活性層から偏光光を発生する発光部と、
前記偏光光の偏光方向に対して垂直方向に延伸するストライプ状の溝が前記偏光方向に複数配列され、のこぎり波形状の出力面をなす出力部
とを備え、前記発光部から前記出力部を透過して、前記出力面から前記偏光光が出力されることを特徴とする発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (13件)：
5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA13
, 5F041CA23
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA77
, 5F041CA88
, 5F041CA93
, 5F041CB15
, 5F041CB36
