特許

J-GLOBAL ID：200903088853043451

半導体装置の製造方法

発明者： 國島 巌 ,  梶 成彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-234804
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094727
出願日： 1993年09月21日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】シリコン基板の浸蝕を招くことなく、シリコン基板に形成された浅い不純物拡散層上にシリサイド膜を形成すること。【構成】Si2 H6 ガスとTiCl4 ガスとを交互に供給するCVD法により、シリコン基板1に形成された浅いp+ 型不純物拡散層9およびn+ 型不純物拡散層10上にTiSi2 膜11を形成することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基体表面に形成され、半導体元素を構成元素とする導電層上に、前記半導体元素と遷移金属元素とを含む化合物膜を気相成長法によって形成する工程を有し、原料ガスとして、前記半導体元素を含む第1の原料ガスと前記遷移金属元素を含む第2の原料ガスとを用い、前記第1の原料ガスと前記第2の原料ガスとを交互に供給することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 301

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-056574
  
• 半導体装置製造用気相反応装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-241388   出願人：富士通株式会社
• 特開平2-093071