特許

J-GLOBAL ID：200903088855471787

超電導薄膜の製造方法

発明者： 根本 雅昭 ,  桑原 英樹 ,  中尾 昌夫
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-334140
公開番号（公開出願番号）：特開平7-138091
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年05月30日
要約：

【要約】【目的】 良好な結晶性並びに良好な平坦性を備えた、a軸配向でしかも単結晶構造で形成された超電導薄膜の成膜技術を提供する。また、ジョセフソン接合素子の特性を向上できる、超電導薄膜の成膜技術を提供する。【構成】 超電導薄膜の製造方法において、基板面内の格子定数に異方性を有する結晶構造で形成される基板1を準備し、この基板1にオフアクシスRFスパッタ法を使用してa軸配向でしかも単結晶構造で形成された超電導薄膜を成膜する。基板1及び結晶面はNdGaO3 基板の(110)結晶面、LaGaO3 基板の(100)結晶面又は(001)結晶面、LaSrGaO4 基板の(100)結晶面のいずれかを使用する。超電導薄膜はYBCO系超電導薄膜を成膜する。成膜の条件は、入射角度0〜30度、基板温度500〜610°C、スパッタガスAr:O2 が1:2の比率で30〜100mtorr、RF出力30〜130Wである。

請求項（抜粋）：

下記工程(1)乃至工程(2)を具備したことを特徴とする、超電導薄膜の製造方法。(1)基板面内の格子定数に異方性を有する結晶構造で形成される基板を準備する工程。(2)酸化物系超電導材料で形成されるターゲットを準備し、スパッタ法の使用により、前記基板の表面にターゲットから叩きだされる酸化物系超電導粒子を堆積し、単結晶構造でしかもa軸配向した酸化物系超電導薄膜を成膜する工程。前記スパッタ法は、ターゲットから叩きだされる粒子の入射角度が前記基板の表面に対して傾斜する、オフアクシススパッタ法を使用する。このオフアクシススパッタ法は、酸化物系超電導薄膜の結晶ユニットのb軸又はc軸が前記基板面内の特定の一結晶軸に一致し、この酸化物系超電導薄膜の結晶ユニットのa軸が前記基板面内に対して実質的に垂直になる条件において、行われる。

IPC (7件)：

C30B 23/08 ,  C01G 1/00 ,  C23C 14/08 ZAA ,  C30B 29/22 501 ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA ,  H01B 12/06 ZAA