特許

J-GLOBAL ID：200903088856605396

半導体製造装置のクリーニング方法

発明者： 江口 和弘 ,  清利 正弘 ,  綱島 祥隆 ,  奥村 勝弥
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-140072
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335318
出願日： 1997年05月29日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】化学気相成長法を用いてアルカリ度類金属を構成元素に含む薄膜を形成する半導体製造装置を分解せずにクリーニングする。【解決手段】半導体製造装置の被クリーニング部の温度を850°C以上にする昇温工程と、半導体製造装置内に三弗化塩素ガスを導入する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

化学気相成長法を用いてアルカリ土類金属を構成元素中に含む薄膜を形成する半導体製造装置のクリーニング方法であって、前記半導体製造装置の被クリーニング部を加熱する工程と、前記半導体製造装置内にハロゲン或いはハロゲン化合物を含むクリーニングガスを導入する工程とを含むことを特徴とする半導体製造装置のクリーニング方法。

IPC (5件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (5件)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/44 J ,  C23F 4/00 E ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 N