特許

J-GLOBAL ID：200903088866281181

酸化ケイ素膜の形成方法

発明者： 佐々木 基 ,  中村 隆司 ,  峰 勝利
出願人/特許権者： 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-353644
公開番号（公開出願番号）：特開平6-181204
出願日： 1992年12月14日
公開日（公表日）： 1994年06月28日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 基材表面に厚膜でかつクラックおよびピンホールを有しない、有機溶剤に不溶の酸化ケイ素膜を形成する方法を提供する。【構成】 基材、半導体デバイスの表面に水素シルセスキオキサン樹脂膜を形成し、次いで該樹脂膜の形成された該基材等を不活性ガス雰囲気下で加熱して、該水素シルセスキオキサン樹脂をプレセラミック状酸化ケイ素にし、続いて該プレセラミック状酸化ケイ素の形成された該基材等を酸素ガスもしくは酸素ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気下で、生成した酸化ケイ素中のケイ素原子結合水素原子の含有量が該水素シルセスキオキサン樹脂中のケイ素原子結合水素原子の含有量に対して80%以下となるまで加熱して、該プレセラミック状酸化ケイ素をセラミック状酸化ケイ素にすることを特徴とする、酸化ケイ素膜の形成方法。

請求項（抜粋）：

基材表面に水素シルセスキオキサン樹脂膜を形成し、次いで該樹脂膜の形成された該基材を不活性ガス雰囲気下で加熱して、該水素シルセスキオキサン樹脂をプレセラミック状酸化ケイ素にし、続いて該プレセラミック状酸化ケイ素の形成された該基材を酸素ガスもしくは酸素ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気下で、生成した酸化ケイ素中のケイ素原子結合水素原子の含有量が該水素シルセスキオキサン樹脂中のケイ素原子結合水素原子の含有量に対して80%以下となるまで加熱して、該プレセラミック状酸化ケイ素をセラミック状酸化ケイ素にすることを特徴とする、酸化ケイ素膜の形成方法。