特許
J-GLOBAL ID：200903088872252177
半導体薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-227774
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097152
出願日： 1994年09月22日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：
【要約】【目的】 原子オーダーの寸法制度で汚染およびダメージなど無く高品質の半導体薄膜を形成できるようにすることを目的とする。【構成】 AlGaAs層2の表面は、2.8Åの段差をもつ単分子ステップ3とAs原子で覆われた幅162Åのテラス4とからなり、ここに、ジメチルヒドラジンを導入することで、テラス4上のAs原子は単分子ステップ3端から順次窒素原子に置き換わり、テラス4は単分子ステップ3端より窒素原子で覆われた領域5と、As原子で覆われたままの領域6とに配分される。そして、ここにトリメチルガリウムとアルシンを導入して、領域6上に選択的にGaAsを成長させて量子細線7を形成する。
請求項（抜粋）：
主表面が面方位(001)面より傾斜している第1のIII-V族化合物半導体からなる化合物半導体基体を加熱しながら、この主表面上部に窒素原子を含む化合物気体を導入して、前記化合物半導体基体表面が窒素原子で置き換わった領域を形成する第1の工程と、前記第1のIII-V族化合物半導体よりも狭い禁制帯幅を有する第2のIII-V族化合物半導体を構成する元素を含む2種類以上の化合物気体を前記化合物半導体基体主表面上部に導入し、前記領域以外に選択的に前記第2のIII-V族化合物半導体からなる半導体層を形成する第2の工程とを有することを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C23C 16/18
, H01L 29/06
, H01L 29/66
