特許
J-GLOBAL ID：200903088875226215
BiCMOS回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井出 直孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-015421
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211434
出願日： 1992年01月30日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：
【要約】【目的】 BiCMOS回路の出力回路に流れる貫通電流を流れなくすることにより、接地雑音およびAC的な消費電力を低減する。【構成】 BiCMOS回路の入力回路20にあるCMOSインバータの入力信号Aと出力信号Bとの排他的論理和をとることによってエッジを検出しエッジ検出信号Cを出力する排他的論理和回路15よりなるエッジ検出回路50と、そのエッジ検出信号Cにより、出力回路40のバイポーラトランジスタ9とショットキートランジスタ10の両方が「オン」になる間のみ「オフ」になるNMOSトランジスタ16よりなる貫通電流防止回路とを設ける。
請求項（抜粋）：
電源と接地電位間に接続されたCMOSインバータを含む入力回路と、電源と出力端子間に挿入された第一のバイポーラトランジスタと、出力端子と接地電位間に挿入された第二のバイポーラトランジスタとを含む出力回路とを備えたBiCMOS回路において、前記CMOSインバータの入力信号および出力信号を入力し入力信号および出力信号の立ち上りおよび立ち下りを検出しエッジ検出信号を出力するエッジ検出回路を備え、前記出力回路は、前記出力回路に挿入され、前記エッジ検出信号の入力により前記出力回路における電源から接地電位に至る電流経路を遮断する貫通電流防止回路を含むことを特徴とするBiCMOS回路。
IPC (4件)：
H03K 19/08
, H01L 27/06
, H03K 17/16
, H03K 17/56
