特許

J-GLOBAL ID：200903088882473481

半導体装置

発明者： 夏目 正 ,  万代 忠男
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-063242
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260645
出願日： 1996年03月19日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】 オン抵抗を低減した半導体装置を提供する。【解決手段】 一導電型のドレイン領域14に規則的に配列された反対導電型ボディ領域13と、前記ボディ領域13内に配置された一導電型のソース領域14と、前記ソース領域14とドレイン領域間にチャネルを形成するゲート電極16と、前記ソース領域14をで共通接続するソース電極15とを備えた半導体素子であって、前記ソース電極15の膜厚を4μ〜10μの範囲内に設定し、前記ソース電極15とソースリード端子23をワイヤ24で接続している。

請求項（抜粋）：

一導電型のドレイン領域に規則的に配列された反対導電型ボディ領域と、前記ボディ領域内に配置された一導電型のソース領域と、前記ソース領域とドレイン領域間にチャネルを形成するゲート電極と、前記ソース領域をで共通接続するソース電極とを備えた半導体素子であって、前記ソース電極の膜厚を4μ〜10μの範囲内に設定し、前記ソース電極とソースリード端子をワイヤで接続したことを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-070998   出願人：三洋電機株式会社
• 特開昭63-166273
  
• 特開昭63-076456
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-063080   出願人：株式会社日立製作所