特許

J-GLOBAL ID：200903088888533559

薄膜多層配線基板の製造方法

発明者： 小澤 隆史
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-337413
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175658
出願日： 1991年12月20日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】【目的】 層間絶縁層にポリイミドを使用した薄膜多層配線基板の製造方法に関し、製造工程の簡易化と配線の微細化を目的とする。【構成】 配線3を形成した絶縁基板2の表面に感光性ポリイミド膜21を被着し、絶縁層形成用遮光パターン23を有する露光マスク22をポリイミド膜21に重ね、絶縁層28のパターン形成に必要な照射光24にてコンタクト露光し、遮光パターン23より大形の遮光パターン26が形成された露光マスク25をポリイミド膜21に重ね、少なくともポリイミド膜21の表層部を感光させる照射光27にてプロキシミテー露光し、ポリイミド膜21を現像し絶縁層28を形成する。絶縁層28を覆う導体薄膜12を被着し、絶縁層28の上の配線5を形成するのに必要な厚さのレジストパターン29を形成し、ビアホール部に対応しレジストパターン29の上にレジストパターン30を形成し、レジストパターン29と30を用いて導体薄膜12より配線5を形成する。

請求項（抜粋）：

層間絶縁層(28)にポリイミドを使用し,薄膜配線(3,5) を多層形成するのに際し、下部配線(3) を形成した絶縁基板(2) の表面に感光性ポリイミド膜(21)を被着し、該ポリイミド膜(21)より所定の絶縁層(28)を形成する遮光パターン(23)が形成された第1の露光マスク(22)を該ポリイミド膜(21)に重ね、該絶縁層(28)のパターン形成に必要な第1の照射光(24)にてコンタクト露光し、該遮光パターン(23)より大形の遮光パターン(26)が形成された第2の露光マスク(25)を該ポリイミド膜(21)に重ね、少なくとも該ポリイミド膜(21)の表層部を感光させる第2の照射光(27)にてプロキシミテー露光し、該ポリイミド膜(21)を現像し該絶縁層(28)を形成することを特徴とした薄膜多層配線基板の製造方法。

IPC (4件)：

H05K 3/46 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/90