特許
J-GLOBAL ID：200903088891021488
高ドープN+基板およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-178477
公開番号（公開出願番号）：特開平9-007961
出願日： 1996年06月18日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：
【要約】【課題】 ドーパント原子による基板内の格子歪みを補償する方法を提供する。【解決手段】 固有抵抗が0.02ohm-cmより低い半導体基板を製造する方法を提供する。この低い固有抵抗は、溶融シリコンに濃度が1x1018より高い燐をドープすることによって達成される。この溶融シリコンには、燐濃度の1.5ないし2.5倍の濃度のゲルマニウムもドープされ、応力および転移がない結晶ボウルを成長させる。高濃度の燐は、シリコン原子の原子半径と燐原子の原子半径との差によって、結晶格子に応力を誘発する。ゲルマニウムは原子半径の不整合を補償し、1x1011ないし1x1021原子/cm3のドーピング濃度で拡散係数が比較的一定を保持するので、燐の拡散も阻止する。これによって、上に位置するエピタキシャル層への燐拡散も阻止し、基板上に形成される他の層の自己ドープも阻止する。
請求項（抜粋）：
実質的に転移および格子応力に拘束されない高濃度にドープされたn型半導体基板を製造する方法であって:シリコン・チャンク(chunk)と第1濃度を有する第1ドーパントとから、溶融物を形成する段階;前記溶融物に第2濃度を有する第2ドーパントをドープする段階であって、前記第1ドーパントは前記第2ドーパントによって生じる格子応力を補償し、前記第2ドーパントは前記溶融物の抵抗を下げる、段階;前記溶融物から結晶ボウルを成長させる段階;および前記結晶ボウルから基板を形成する段階;から成ることを特徴とする方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/208 Z
, H01L 21/208 P
, C30B 29/06 Z
