特許
J-GLOBAL ID:200903088891758812

弾性表面波半導体結合素子及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 志賀 富士弥 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-282996
公開番号(公開出願番号):特開平7-135445
出願日: 1993年11月12日
公開日(公表日): 1995年05月23日
要約:
【要約】【目的】 弾性表面波素子の電気機械結合係数を大きくし、しかも半導体キャリアと弾性表面波の効率良い相互作用を得る。【構成】 圧電性を有し電気機械結合係数の大きい弾性表面波基板11の上面に電気信号と弾性表面波を相互に変換する2つのトランスデューサ13、14を形成し、トランスデューサで励振されて伝搬する弾性表面波の伝搬路上に該弾性表面波とキャリアとの間で相互作用を得る半導体薄膜フイルム12を接着し、この半導体薄膜に信号を印加又は検出する電極15、16を設けた構造とする。半導体薄膜フイルムは、弾性表面波基板とファンデルワールス力による強い結合を得る接着をし、弾性表面波の波長と同等以下の膜厚にする。
請求項(抜粋):
圧電性を有し電気機械結合係数の大きい弾性表面波基板と、この基板面に設けられ電気信号と弾性表面波を相互に変換する少なくとも2つのトランスデューサと、前記トランスデューサで励振されて伝搬する弾性表面波の伝搬路上に設けられ該弾性表面波とキャリアとの間で相互作用を得る半導体薄膜フイルムとを備え、前記半導体薄膜フイルムは、前記弾性表面波基板とファンデルワールス力による接着をしかつ弾性表面波の波長と同等以下の膜厚を備えたことを特徴とする弾性表面波半導体結合素子。
IPC (2件):
H03H 9/72 ,  H03H 3/08
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特開昭53-078755
  • 特開昭50-068721

前のページに戻る