特許
J-GLOBAL ID：200903088896380036
半導体装置の試験方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-007925
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198632
出願日： 1992年01月20日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の試験方法、特に、プローブ試験に関し、所要時間が短縮される試験方法の提供を目的とする。【構成】 ウエーハ1上の全チップ2分の触針6を配設したプローブカード4Aを用い、全チップ2に同時に触針6を当てて、その状態の下でチップ2の各々に対する試験を行うように構成する。そして、チップ2の各々に対する試験は、その試験の全項目の中の一部項目(DC試験の?@電源回路の短絡有無と?Aスタンバイ電流の適否)を先行し、その一部項目が良の際にのみ残りの項目を行うようにする。3はチップ2上のパッド、5は開口、である。
請求項（抜粋）：
半導体装置のプローブ試験を行うに際して、ウエーハ上の全チップ分の触針を配設したプローブカードを用い、前記全チップに同時に前記触針を当てて、その状態の下で前記チップの各々に対する試験を行うことを特徴とする半導体装置の試験方法。
IPC (2件)：
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