特許
J-GLOBAL ID：200903088896648721
半導体量子井戸光変調器及び光変調方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-210477
公開番号（公開出願番号）：特開平9-054290
出願日： 1995年08月18日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：
【要約】【課題】 光導波路を構成する多重量子井戸層の吸収係数、あるいは屈折率を外部印加電界で制御して、光導波路を通過する光の強度、あるいは位相を制御する光導波路型変調器及び光変調方法を提供する。【解決手段】 基板1と、該基板1上に形成した異なる2種類の半導体材料からなる量子井戸層および障壁層を交互に積み重ねた多重量子井戸構造3をコアとする光変調器において、前記コアは、前記量子井戸構造を形成している量子井戸層の格子定数とこの層をその上に成長させている基板結晶の格子定数との不整合により生じる格子歪みを有し、この格子歪みは、価電子帯のバンド構造を変化させて、前記量子井戸構造の励起子による光吸収の吸収係数のスペクトルの形状を変化させ、前記光変調器への電圧印加に伴う量子井戸層の吸収係数変化とその結果発現する負の屈折率変化による光の制御を行うことを可能にする大きさに設定されている。
請求項（抜粋）：
基板と、該基板上に形成した異なる2種類の半導体材料からなる量子井戸層および障壁層を交互に積み重ねた多重量子井戸構造をコアとする光変調器において、前記コアは、前記量子井戸構造を形成している量子井戸層の格子定数とこの層をその上に成長させている基板結晶の格子定数との不整合により生じる格子歪みを有し、この格子歪みは、価電子帯のバンド構造を変化させて、前記量子井戸構造の励起子による光吸収の吸収係数のスペクトルの形状を変化させ、前記光変調器への電圧印加に伴う量子井戸層の吸収係数変化とその結果発現する負の屈折率変化による光の制御を行うことを可能にする大きさに設定されていることを特徴とする半導体量子井戸光変調器。
IPC (2件)：
G02F 1/025
, G02F 1/015 505
G02F 1/025
, G02F 1/015 505
