特許

J-GLOBAL ID：200903088898237281

半導体装置及びその製造方法

発明者： 奥村 信夫
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-306672
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163681
出願日： 1992年11月17日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【構成】 素子間分離領域11の側壁部16にSiO2 膜19を介してSiNX 膜17が形成され、かつ素子間分離領域11近傍に不純物が注入されている半導体装置。【効果】 反転電圧が高く、寄生トランジスタが発生しにくい半導体装置を提供することができる。

請求項（抜粋）：

素子間分離領域の側壁部にSiO2 膜を介してSiNX 膜が形成され、かつ前記素子間分離領域近傍に不純物が注入されていることを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-098958
  
• 特開平1-310557
  
• 特開平1-185936
  
• 特開平1-308044