特許

J-GLOBAL ID：200903088900906226

集積回路デバイスの製造方法

発明者： エドウィン アーサー チャンドロス ,  アナンス ドダバラピュール ,  ホワード エダン カッツ ,  ベンカタラム レディ ラジュ
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外12名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-372277
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230421
出願日： 2000年12月07日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：

【要約】【課題】 集積回路デバイスの製造方法を提供すること。【解決手段】 集積回路は、複数のTFTと電気的接続構造を含む。本発明のプロセスにおいては、TFTの少なくとも一部の構成要素を第1基板10上に形成する。少なくとも相互接続構造を第2基板40上に形成する。この2枚の基板10、40を積層して、TFTを有する集積回路デバイスを形成する。

請求項（抜粋）：

(A) 第1基板(10)上に薄膜トランジスタの少なくとも一部を形成するステップと、(B) 第2基板(40)の上に相互接続構造を形成するステップと、(C) 前記第1基板(10)を第2基板(40)に積層するステップとを有し、これにより前記薄膜トランジスタを相互接続構造に電気的に接続することを特徴とする集積回路デバイスの製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 27/12 ,  H01L 51/00

FI (7件)：

G09F 9/30 338 ,  H01L 27/12 C ,  H01L 29/78 616 K ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/28 ,  H01L 29/78 612 C ,  H01L 29/78 627 D

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-211175
  
• 特開昭64-018248