特許
J-GLOBAL ID：200903088904008176
半導体センサ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-104507
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297411
出願日： 1994年04月20日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：
【要約】【目的】 簡単な工程で高い歩留まりと信頼性を得ることができる半導体センサの製造方法を提供する。【構成】 シリコン基板11の一方の面に感圧抵抗12を形成し、他方の面をエッチング加工して、周辺肉厚部15、肉薄ダイヤフラム部17、及びボス部16を形成する半導体センサの製造方法であって、前記基板11の他方の面のエッチング加工は、周辺肉厚部15及びボス部16となる領域を覆い、且つボス部16となる領域には複数本のスリット開口14を有するエッチングマスク13a,13bを形成し、KOH液によるエッチングを行って周辺肉厚部15、この周辺肉厚部15より薄く且つ底面が鋸歯状の凹凸面をなすボス部16、及びこれらに挟まれた領域に肉薄ダイヤフラム部17を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板に、周辺肉厚部と、その内側に閉路をなす肉薄ダイヤフラム部と、更にその内側にボス部とが加工され、前記肉薄ダイヤフラム部に拡散層による感圧抵抗が形成された半導体センサにおいて、前記ボス部は、厚みが前記周辺肉厚部より薄く、且つ前記感圧抵抗が形成された面と反対側の面が凹凸面をなすことを特徴とする半導体センサ。
IPC (3件)：
H01L 29/84
, G01L 9/04 101
, H01L 21/306
