特許

J-GLOBAL ID：200903088906520273

半導体装置

発明者： 久保 博稔 ,  重田 典博 ,  桑子 栄一郎
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-277081
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102576
出願日： 1999年09月29日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】 単位面積あたり高密度にセルを集積化できると共に、チャネルとして活性な部分の電気的特性も均一化できる、絶縁ゲート型の半導体装置を提供する。【解決手段】 面方位(111)の半導体ウェハを準備する。その表面にトレンチ32を形成する。該トレンチ32によって区画される半導体層の側壁33は上方から見て6角形のパターン30を構成する。該トレンチ32内にゲート電極を形成し、該パターン30を単位セルとしてMOSFET素子を構成する。トレンチ32横の側壁33は、6つの面において互いに等価となるようにその結晶面が選択されている。代表的な例では(110)面あるいはその近傍の結晶面である。

請求項（抜粋）：

6角形のパターンの半導体層を設け、前記半導体層の側壁の結晶面を互いに等価面とすることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/80

FI (5件)：

H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 652 F ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 655 G ,  H01L 29/80 V

Fターム (8件)：

5F102FA02 ,  5F102FB01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC08 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ03 ,  5F102GL03 ,  5F102GR01

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 炭化珪素半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-367420   出願人：株式会社デンソー