特許

J-GLOBAL ID：200903088906963825

硬質窒素含有炭素膜の作製方法

発明者： 鎌田 喜一郎 ,  斎藤 秀俊 ,  井上 亨 ,  塩矢 富士夫 ,  柳 雄二
出願人/特許権者： 鎌田 喜一郎 ,  トッキ株式会社
代理人 (1件)： 吉井 昭栄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-126125
公開番号（公開出願番号）：特開平8-319568
出願日： 1995年05月25日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：

【要約】【構成】 炭素と窒素を含む気体雰囲気において、10-2Pa以下の圧力の真空度に保たれた真空容器中に設置した基体の表面に、気体雰囲気を10GHz以上の周波数の電磁波と500G以上の強さの磁場の共鳴を用いてプラズマ状態に励起させて得られた炭素イオンと窒素イオンを、電場によって基体方向に加速し照射することによって、該基体表面に窒素を含有し、高い硬度を有する炭素薄膜を形成する硬質窒素含有炭素膜の作製方法。【効果】 DLCを大きく上回るヌープ硬度12500というようなこれまで例のない超硬質薄膜の形成を容易ならしめる効果を有する。

請求項（抜粋）：

炭素と窒素を含む気体雰囲気において、10-2Pa以下の圧力の真空度に保たれた真空容器中に設置した基体の表面に、気体雰囲気を10GHz以上の周波数の電磁波と500G以上の強さの磁場の共鳴を用いてプラズマ状態に励起させて得られた炭素イオンと窒素イオンを、電場によって基体方向に加速し照射することによって、該基体表面に窒素を含有し、高い硬度を有する炭素薄膜を形成することを特徴とする硬質窒素含有炭素膜の作製方法。

IPC (4件)：

C23C 16/26 ,  B23P 15/28 ,  C01B 21/082 ,  C23C 16/34

FI (4件)：

C23C 16/26 ,  B23P 15/28 A ,  C01B 21/082 Z ,  C23C 16/34