特許
J-GLOBAL ID：200903088909208726

成膜処理装置

発明者：
李 秀樹

李 秀樹 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-225211
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058016
出願日： 1993年08月18日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】【目的】 パ-ティクルの発生を抑えると共に、被処理体の周縁部及び裏面への成膜を防止し、かつ被処理体の表面上への成膜を均一に行うこと。【構成】 被処理体としてのウエハの表面上にウエハの周縁部を覆うと共にその外周縁部がウエハの外方側に突出するようにリング体5を配設し、ウエハの表面へ処理ガスを供給すると共に、ウエハの裏面側からリング体の突出部分へ向けてパ-ジガスを供給する。ここでリング体5の内周縁部の裏面とウエハの表面との間には所定間隔の隙間が形成されており、この隙間により薄膜がリング体5とウエハの表面に亘って連続することなくそれぞれに分離されて形成されるので、リング体5をウエハから取り外す際に薄膜が切断されることがなく、パ-ティクルの発生が抑えられる。またパ-ジガスの通流により、ウエハの周縁部及び裏面への処理ガスの周り込みが阻止されてこの部分への成膜が防止される共に、このパ-ジガスは処理ガスの流れを妨げないため成膜も均一に行われる。
請求項（抜粋）：
被処理体の被処理面の周縁部を覆うために当該被処理面に対して接離自在に設けられると共に、前記被処理面を押えるための押え面が形成されたリング体を備え、前記被処理面に処理ガスを供給して薄膜を形成する一方被処理面の裏面側からパージガスを供給する成膜処理装置において、前記リング体は、前記被処理面の周縁部を覆うときに外周縁部が被処理体の外方側に突出するように形成され、少くともリング体の内周縁部の裏面は、薄膜が潜り込まない程度の微少な隙間が被処理体の被処理面との間に形成されるように、前記押え面よりも高く形成されていることを特徴とする成膜処理装置。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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