特許
J-GLOBAL ID：200903088915842720
水素センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-113610
公開番号（公開出願番号）：特開2002-310978
出願日： 2001年04月12日
公開日（公表日）： 2002年10月23日
要約：
【要約】【課題】被測定ガス中の水素ガス濃度の測定を、この被測定ガス中に含まれるメタノールの影響を受けずに精度よく行うことが可能な水素センサを提供する。【解決手段】プロトン伝導層2に接して設けられた第1電極3及び第2電極4と、被測定ガス雰囲気と第1電極3間に設けられたガス拡散律速部6と、プロトン伝導層2、第1電極3、第2電極4及びガス拡散律速部6を支持する支持体(1a,1b)とを有し、ガス拡散律速部6を介して導入された被測定ガス中の水素ガスを、第1電極3と第2電極4間に電圧を印加することにより解離または分解もしくは反応させ、発生したプロトンをプロトン伝導層2を介して基本的に第1電極3側から第2電極4側へ汲み出すことにより生じる限界電流に基づいて水素ガス濃度を求める水素センサであって、第1電極2上の水素濃度が水素分圧換算で10-12atm以上に制御される。
請求項（抜粋）：
プロトン伝導層に接して設けられた第1電極及び第2電極と、被測定ガス雰囲気と前記第1電極間に設けられたガス拡散律速部と、前記プロトン伝導層、前記第1電極、前記第2電極及び前記ガス拡散律速部を支持する支持体とを有し、前記ガス拡散律速部を介して導入された被測定ガス中の水素ガスを、前記第1電極と前記第2電極間に電圧を印加することにより解離または分解もしくは反応させ、発生したプロトンを前記プロトン伝導層を介して基本的に該第1電極側から該第2電極側へ汲み出すことにより生じる限界電流に基づいて水素ガス濃度を求める水素センサであって、前記第1電極上の水素濃度が水素分圧換算で10-12atm以上に制御されることを特徴とする水素センサ。
IPC (3件)：
G01N 27/416
, G01N 27/406
, H01M 8/04
H01M 8/04 Z
, G01N 27/46 371 G
, G01N 27/58 Z
2G004ZA01
, 5H027BA01
, 5H027KK31
