特許
J-GLOBAL ID：200903088918429980
イオンアシスト制御式スパッタリング方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-090371
公開番号（公開出願番号）：特開平6-101036
出願日： 1992年02月28日
公開日（公表日）： 1994年04月12日
要約：
【要約】【目的】 剥れにくく,かつ,硬度の大きい成膜状態を得ることを目的としている。【構成】 イオンアシスト制御式スパッタリング装置を用い,スパッタリングを開始した当初はターゲット裏面の磁極体のコイル励磁電流およびまたは基板バイアス電圧の負の数値を小さくしてイオン電流密度の負の数値を小さくし,後になるに従ってコイル励磁電流およびまたは基板バイアス電圧の負の数値を大きくして行ってイオン電流密度の負の数値が大きくなるようにスパッタリングを行う。
請求項（抜粋）：
ターゲット裏面にコイル励磁電流を変え得る磁極体を配置し,ターゲットに対向して基板バイアス電圧を変え得る基板保持部に基板を保持したイオンアシスト制御式スパッタリング装置を用い,スパッタリングを開始した当初はコイル励磁電流およびまたは基板バイアス電圧の負の数値を小さくしてイオン電流密度の負の数値を小さくし,後になるに従ってコイル励磁電流およびまたは基板バイアス電圧の負の数値を大きくして行ってイオン電流密度の負の数値が大きくなるようにスパッタリングを行うイオンアシスト制御式スパッタリング方法。
IPC (2件)：
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