特許

J-GLOBAL ID：200903088923422994

荷電粒子線転写方法

発明者： 中筋 護
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 渡部 温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-017636
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204422
出願日： 1998年01月14日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】【課題】 スループットをなるべく落とさずにレジストヒーティング効果を補正できる荷電粒子線転写方法を提供する。【解決手段】 転写すべきパターンを、幅広パターン2と幅狭パターン1に分割し、分割したそれぞれのパターン3及び4をマスク上の異なる領域に形成する。そして、感応基板上の同一領域に、幅広パターン3を比較的低い露光量で投影露光し、幅狭パターン4を比較的高い露光量で投影露光する。

請求項（抜粋）：

パターンを形成したマスクを荷電粒子線で照明し、マスクを通過してパターン化された荷電粒子線を感応基板上に投影結像させて該パターンを転写する荷電粒子線転写方法であって;転写すべきパターンを、所定の線幅よりも広い線幅のパターン(幅広パターン)と、その他のパターン(幅狭パターン)に分割し、分割したそれぞれのパターンをマスク上の異なる領域に別々に形成し、感応基板上の同一領域に、上記幅広パターンを比較的低い露光量で投影露光するとともに、上記幅狭パターンを比較的高い露光量で投影露光することを特徴とする荷電粒子線転写方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 504

FI (3件)：

H01L 21/30 541 Q ,  G03F 7/20 504 ,  H01L 21/30 541 M