特許
J-GLOBAL ID：200903088924237899
半導体不揮発性記憶装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-246827
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218358
出願日： 1992年09月16日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 高電圧の掛かる不揮発性記憶装置と5V系の論理回路を整合良く1チップ化可能な半導体不揮発性記憶装置及びその製造方法を提供する。【構成】 半導体基板20から絶縁膜を介して第1の電気的に浮遊状態にある導電膜24が積層された構造において、上記導電膜24下の絶縁膜は厚さの異なる少なくとも2種のゲート絶縁膜23,27,28よりなる。
請求項（抜粋）：
半導体基板から絶縁膜を介して電気的に浮遊状態にある第1の導電膜が積層された構造において、上記絶縁膜は厚さの異なる少なくとも2種のゲート絶縁膜よりなる事を特徴とする半導体不揮発性記憶装置。
IPC (3件)：
H01L 27/115
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
