特許

J-GLOBAL ID：200903088926741063

半導体記憶装置のしきい値制御方法およびスクリーニング方法

発明者： 小谷 秀人
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-023330
公開番号（公開出願番号）：特開2000-222892
出願日： 1999年02月01日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：

【要約】【課題】 書き換え可能な半導体記憶装置において、短時間かつ低ストレスで精度よく信頼性劣化セルを検知できるようにする。【解決手段】 電気的に書き込みおよび消去が可能な複数メモリセルを記憶媒体とする半導体記憶装置において、上記複数メモリセルの書き込み後のしきい値電圧分布幅を小さくするように、書き込み時の電圧および、またはパルス幅を制御する。また、スクリーニングのためのストレス印加前の各種しきい値分布情報をデバイスごとに書き込んでおき、その書き込み情報とストレス印加後の再測定結果とを比較して、良品と不良品とを分類する。

請求項（抜粋）：

電気的に書き込みおよび消去が可能な複数メモリセルを記憶媒体とする半導体記憶装置において、上記複数メモリセルの書き込み後のしきい値電圧分布幅を小さくするように、書き込み時の電圧および、またはパルス幅を制御することを特徴とする半導体記憶装置のしきい値制御方法。

IPC (2件)：

G11C 16/02 ,  G11C 29/00 673

FI (2件)：

G11C 17/00 611 E ,  G11C 29/00 673 F

Fターム (11件)：

5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AD08 ,  5B025AE08 ,  5B025AE09 ,  5L106AA10 ,  5L106DD31 ,  5L106DD36